产品概览

产品型号
GT20J341,S4X(S
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
产品类别
单 IGBT
产品描述
DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-220S

文档与媒体

数据列表
GT20J341,S4X(S

产品详情

25°C 时 Td(开/关)值 :
60ns/240ns
IGBT 类型 :
-
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) :
2V @ 15V,20A
供应商器件封装 :
TO-220SIS
功率 - 最大值 :
45 W
反向恢复时间 (trr) :
90 ns
安装类型 :
通孔
封装/外壳 :
TO-220-3 整包
工作温度 :
150°C(TJ)
开关能量 :
500µJ(开),400µJ(关)
栅极电荷 :
-
测试条件 :
300V,20A,33 欧姆,15V
电压 - 集射极击穿(最大值) :
600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
20 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) :
80 A
输入类型 :
标准

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