数据列表

RGW80TK65EGVC11

25°C 时 Td（开/关）值 :

44ns/143ns

IGBT 类型 :

沟槽型场截止

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） :

1.9V @ 15V，40A

供应商器件封装 :

TO-3PFM

功率 - 最大值 :

81 W

反向恢复时间 (trr) :

102 ns

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

TO-3PFM，SC-93-3

工作温度 :

-40°C ~ 175°C（TJ）

开关能量 :

760µJ（开），720µJ（关）

栅极电荷 :

110 nC

测试条件 :

400V，40A，10 欧姆，15V

电压 - 集射极击穿（最大值） :

650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :

39 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm) :

160 A

输入类型 :

标准