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RJP65T43DPM-00#T1

25°C 时 Td（开/关）值 :

30ns/107ns

IGBT 类型 :

沟道

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） :

2.4V @ 15V，20A

供应商器件封装 :

TO-3PFM

功率 - 最大值 :

68.8 W

反向恢复时间 (trr) :

-

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

TO-220-3 整包

工作温度 :

175°C（TJ）

开关能量 :

170µJ（开），110µJ（关）

栅极电荷 :

70 nC

测试条件 :

400V，20A，10 欧姆，15V

电压 - 集射极击穿（最大值） :

650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :

40 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm) :

-

输入类型 :

标准