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GT30J65MRB,S1E

25°C 时 Td（开/关）值 :

75ns/400ns

IGBT 类型 :

-

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） :

1.8V @ 15V，30A

供应商器件封装 :

TO-3P（N）

功率 - 最大值 :

200 W

反向恢复时间 (trr) :

200 ns

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

TO-3P-3，SC-65-3

工作温度 :

175°C（TJ）

开关能量 :

1.4mJ (on), 220µJ (off)

栅极电荷 :

70 nC

测试条件 :

400V, 15A, 56Ohm, 15V

电压 - 集射极击穿（最大值） :

650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :

60 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm) :

-

输入类型 :

标准