产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- IGZ100N65H5XKSA1
产品详情
- 25°C 时 Td(开/关)值 :
- 30ns/421ns
- IGBT 类型 :
- 沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) :
- 2.1V @ 15V,100A
- 供应商器件封装 :
- PG-TO247-4
- 功率 - 最大值 :
- 536 W
- 反向恢复时间 (trr) :
- -
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-247-4
- 工作温度 :
- -40°C ~ 175°C(TJ)
- 开关能量 :
- 850µJ(开),770µJ(关)
- 栅极电荷 :
- 210 nC
- 测试条件 :
- 400V,50A,8 欧姆,15V
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 161 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm) :
- 400 A
- 输入类型 :
- 标准
采购与库存
推荐产品
您可能在找
MOS2CT52R330J
MOS2CT52A180J
MOS2CT52A100J
ERX-1SJR47V
PR02000203908JR500
PR02000201501JR500
VR25000004304JR500
PR02000202409JR500
ROX1SJ47K
ERG-2SJ620
PR02000205609JR500
FMP200JR-52-2R2
CMF50412R00FHEB
CMF50453R00FHEB
ROX3SJ39R
ROX1SJ680K
MBB02070C2207JCT00
NFR2500004701JR500
RSMF2JTR180
MBB02070C2205JRP00
