数据列表

RGT50NS65DGTL

25°C 时 Td（开/关）值 :

27ns/88ns

IGBT 类型 :

沟槽型场截止

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） :

2.1V @ 15V，25A

供应商器件封装 :

LPDS

功率 - 最大值 :

194 W

反向恢复时间 (trr) :

58 ns

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

工作温度 :

-40°C ~ 175°C（TJ）

开关能量 :

-

栅极电荷 :

49 nC

测试条件 :

400V，25A，10欧姆，15V

电压 - 集射极击穿（最大值） :

650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :

48 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm) :

75 A

输入类型 :

标准