数据列表

STGB20H65DFB2

25°C 时 Td（开/关）值 :

16ns/78.8ns

IGBT 类型 :

沟槽型场截止

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） :

2.1V @ 15V，20A

供应商器件封装 :

D2PAK-3

功率 - 最大值 :

147 W

反向恢复时间 (trr) :

215 ns

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

TO-263-4，D²Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA

工作温度 :

-55°C ~ 175°C（TJ）

开关能量 :

265µJ（开），214µJ（关）

栅极电荷 :

56 nC

测试条件 :

400V，20A，10 欧姆，15V

电压 - 集射极击穿（最大值） :

650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :

40 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm) :

60 A

输入类型 :

标准