产品概览
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- 数据列表
- HGTD1N120BNS9A
产品详情
- 25°C 时 Td(开/关)值 :
- 15ns/67ns
- IGBT 类型 :
- NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) :
- 2.9V @ 15V,1A
- 供应商器件封装 :
- TO-252AA
- 功率 - 最大值 :
- 60 W
- 反向恢复时间 (trr) :
- -
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 开关能量 :
- 70µJ(开),90µJ(关)
- 栅极电荷 :
- 14 nC
- 测试条件 :
- 960V,1A,82 欧姆,15V
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 5.3 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm) :
- 6 A
- 输入类型 :
- 标准
采购与库存
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