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IGD10N65T6ARMA1

25°C 时 Td（开/关）值 :

30ns/106ns

IGBT 类型 :

沟槽型场截止

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） :

1.9V @ 15V，8.5A

供应商器件封装 :

PG-TO252-3

功率 - 最大值 :

75 W

反向恢复时间 (trr) :

-

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

工作温度 :

-40°C ~ 175°C（TJ）

开关能量 :

200µJ（开），70µJ（关）

栅极电荷 :

27 nC

测试条件 :

400V，8.5A，47 欧姆，15V

电压 - 集射极击穿（最大值） :

650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :

23 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm) :

42.5 A

输入类型 :

标准