数据列表

NXH040F120MNF1PG

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

30A（Tc）

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

4，3V @ 10mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

56 毫欧 @ 25A，20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

1505pF @ 800V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

122.1nC @ 20V

供应商器件封装 :

22-PIM（33.8x42.5）

功率 - 最大值 :

74W（Tj）

安装类型 :

底座安装

封装/外壳 :

模块

工作温度 :

-40°C ~ 175°C（TJ）

技术 :

碳化硅（SiC）

漏源电压（Vdss） :

1200V（1.2kV）

配置 :

4 个 N 通道