产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- NVMFD5852NLWFT1G
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 15A
- FET 功能 :
- 逻辑电平门
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 2.4V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 6.9 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 1800pF @ 25V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 36nC @ 10V
- 供应商器件封装 :
- 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)
- 功率 - 最大值 :
- 3.2W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 8-PowerTDFN
- 工作温度 :
- -55°C ~ 175°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 40V
- 配置 :
- 2 N-通道(双)
采购与库存
推荐产品
您可能在找
0805Y0500220KAT
0805Y0630220KAT
0805Y5000220KAT
1206Y1K50472MXT
1206Y2000182JCT
1206Y2500182JCT
C1206C471JCGAL7800
C1206X154K2RAC7800
C320C184J2R5TA
C320C224J2R5TA
C320C184JAR5TA
C320C224JAR5TA
C322C184J2R5TA
C322C224J2R5TA
C322C184JAR5TA
C322C224JAR5TA
C323C184J2R5TA
C323C224J2R5TA
C323C184JAR5TA
C323C224JAR5TA