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TPD3215M

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

70A（Tc）

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

-

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

34 毫欧 @ 30A，8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

2260pF @ 100V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

28nC @ 8V

供应商器件封装 :

模块

功率 - 最大值 :

470W

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

模块

工作温度 :

-40°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

GaNFET（氮化镓）

漏源电压（Vdss） :

600V

配置 :

2 个 N 通道（半桥）