数据列表

LN60A01ES-LF

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

80mA

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

1.2V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

190 欧姆 @ 10mA，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

-

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

-

供应商器件封装 :

8-SOIC

功率 - 最大值 :

1.3W

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

工作温度 :

-20°C ~ 125°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

600V

配置 :

3 N 沟道，共栅