数据列表

LP1030DK1-G

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

-

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

2.4V @ 1mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

180 欧姆 @ 20mA，7V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

10.8pF @ 25V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

-

供应商器件封装 :

SOT-23-5

功率 - 最大值 :

-

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

SC-74A，SOT-753

工作温度 :

-25°C ~ 125°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

300V

配置 :

2 个 P 沟道（双）