数据列表

VQ2001P

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

600mA

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

4.5V @ 1mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

2 欧姆 @ 1A，12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

150pF @ 15V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

-

供应商器件封装 :

-

功率 - 最大值 :

2W

安装类型 :

-

封装/外壳 :

-

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

30V

配置 :

4 个 P 通道