数据列表

ALD111910SAL

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

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FET 功能 :

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不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

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不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

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供应商器件封装 :

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功率 - 最大值 :

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安装类型 :

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封装/外壳 :

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工作温度 :

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技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

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配置 :

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