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FD6M033N06

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

73A

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

4V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

3.3 毫欧 @ 40A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

6010pF @ 25V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

129nC @ 10V

供应商器件封装 :

EPM15

功率 - 最大值 :

-

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

EPM15

工作温度 :

-40°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

60V

配置 :

2 N-通道（双）