数据列表

VWM200-01P

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

210A

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

4V @ 2mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

5.2 毫欧 @ 100A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

-

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

430nC @ 10V

供应商器件封装 :

V2-PAK

功率 - 最大值 :

-

安装类型 :

底座安装

封装/外壳 :

V2-PAK

工作温度 :

-40°C ~ 175°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

100V

配置 :

6 N-沟道（3 相桥）