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ALD110808ASCL

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

12mA，3mA

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

810mV @ 1µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

500 欧姆 @ 4.8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

2.5pF @ 5V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

-

供应商器件封装 :

16-SOIC

功率 - 最大值 :

500mW

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

工作温度 :

0°C ~ 70°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

10.6V

配置 :

4 N 沟道，配对