数据列表

AOE6930

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

22A（Tc），85A（Tc）

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

2.1V @ 250µA，1.9V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

4.3 毫欧 @ 20A，10V，0.83 毫欧 @ 30A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

1075pF @ 15V，5560pF @ 15V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

15nC @ 4.5V，65nC @ 4.5V

供应商器件封装 :

8-DFN（5x6）

功率 - 最大值 :

24W，75W

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-VDFN 裸露焊盘

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

30V

配置 :

2 N 沟道（双）非对称型