数据列表

IPG20N06S2L50ATMA1

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

20A

FET 功能 :

逻辑电平门

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

2V @ 19µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

50 毫欧 @ 15A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

560pF @ 25V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

17nC @ 10V

供应商器件封装 :

PG-TDSON-8-4

功率 - 最大值 :

51W

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-PowerVDFN

工作温度 :

-55°C ~ 175°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

55V

配置 :

2 N-通道（双）