数据列表

PJQ4606_R1_00001

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

7.6A（Ta），23A（Tc），6.7A（Ta），20A（Tc）

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

2.5V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

19 毫欧 @ 8A，10V，30 毫欧 @ 4A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

429pF @ 25V，846pF @ 15V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

4.8nC @ 4.5V，7.8nC @ 4.5V

供应商器件封装 :

DFN3030B-8

功率 - 最大值 :

2W（Ta），18W（Tc）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-PowerWDFN

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

30V

配置 :

N 和 P 沟道互补型