产品概览
文档与媒体
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 5.3A
- FET 功能 :
- -
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 3V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 72 毫欧 @ 2.7A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 590pF @ 10V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 7nC @ 5V
- 供应商器件封装 :
- 8-SOIC
- 功率 - 最大值 :
- 2W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 30V
- 配置 :
- 2 个 P 沟道(双)
采购与库存
推荐产品
您可能在找
M55342K06B1B21RWI
M55342E06B22B0RWP
M55342E06B1E15RTI
M55342E06B64B2RTP
M55342K06B360GRTIV
M55342E06B988ARTI
M55342H06B169ERTI
M55342E06B316ARTI
M55342K06B1B50RTI
M55342K06B4E02PTIV
M55342E06B3E57RWI
M55342K06B4B42RWI
M55342H06B56D2RWI
M55342K06B1B50PTI
M55342E06B234APTI
M55342E06B234ARTI
M55342H06B53E6RTI
M55342H06B169ERWI
M55342E06B135BRTI
M55342E06B31B2RTI
