数据列表

CSD86356Q5DT

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

40A（Ta）

FET 功能 :

逻辑电平栅极，5V 驱动

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

1.85V @ 250µA，1.5V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

4.5 毫欧 @ 20A，5V，0.8 毫欧 @ 20A，5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

1040pF @ 12.5V，2510pF @ 12.5V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

7.9nC @ 4.5V，19.3nC @ 4.5V

供应商器件封装 :

8-VSON-CLIP（5x6）

功率 - 最大值 :

12W（Ta）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-PowerTDFN

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

25V

配置 :

2 个 N 通道（半桥）