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SH32N65DM6AG

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

32A（Tc）

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

4.75V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

97 毫欧 @ 23A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

2211pF @ 100V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

47nC @ 10V

供应商器件封装 :

9-ACEPACK SMIT

功率 - 最大值 :

208W（Tc）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

9-PowerSMD

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

650V

配置 :

2 个 N 通道（半桥）