数据列表

SI6562CDQ-T1-GE3

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

6.7A，6.1A

FET 功能 :

逻辑电平门

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

1.5V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

22 毫欧 @ 5.7A，4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

850pF @ 10V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

23nC @ 10V

供应商器件封装 :

8-TSSOP

功率 - 最大值 :

1.6W，1.7W

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

20V

配置 :

N 和 P 沟道