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MSCM20XM10T3XG

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

108A（Tc）

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

5V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

9.7 毫欧 @ 81A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

10700pF @ 50V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

161nC @ 10V

供应商器件封装 :

SP3X

功率 - 最大值 :

341W（Tc）

安装类型 :

底座安装

封装/外壳 :

模块

工作温度 :

-40°C ~ 125°C（Tc）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

200V

配置 :

6 N-沟道（3 相桥）