数据列表

UT6J3TCR1

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

3A（Ta）

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

1V @ 1mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

85 毫欧 @ 3A，4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

2000pF @ 10V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

8.5nC @ 4.5V

供应商器件封装 :

DFN2020-8D

功率 - 最大值 :

2W（Ta）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-PowerUDFN

工作温度 :

150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

20V

配置 :

2 个 P 沟道（双）