数据列表

EFC4K110NUZTDG

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

25A

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

-

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

-

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

-

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

49nC @ 4.5V

供应商器件封装 :

10-WLCSP（3.2x2.1）

功率 - 最大值 :

2.5W

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

10-SMD，无引线

工作温度 :

-

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

24V

配置 :

2 N 沟道（双）共漏