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CSD86350Q5DT

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

40A（Ta）

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

2.1V @ 250µA，1.6V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

5 毫欧 @ 25A，5V，1.1 毫欧 @ 25A，5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

1870pF @ 12.5V，4000pF @ 12.5V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

10.7nC @ 4.5V，25nC @ 4.5V

供应商器件封装 :

8-LSON（5x6）

功率 - 最大值 :

13W（Ta）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-PowerLDFN

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

25V

配置 :

2 个 N 通道（半桥）