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- 数据列表
- QS8J4TR
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 4A
- FET 功能 :
- 逻辑电平门
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :
- 2.5V @ 1mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :
- 56 毫欧 @ 4A，10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :
- 800pF @ 10V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :
- 13nC @ 10V
- 供应商器件封装 :
- TSMT8
- 功率 - 最大值 :
- 550mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 8-SMD，扁平引线
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 技术 :
- MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss） :
- 30V
- 配置 :
- 2 个 P 沟道（双）
