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IGT60R070D1E8220ATMA1

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

31A（Tc）

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 通道

Vgs（最大值） :

-10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

1，6V @ 2，6mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

-

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

380 pF @ 400 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

-

供应商器件封装 :

PG-HSOF-8-3

功率耗散（最大值） :

125W（Tc）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-PowerSFN

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

GaNFET（氮化镓）

漏源电压（Vdss） :

600 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

-