产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 3LN01SS-TL-E
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 150mA(Ta)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- -
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 3.7 欧姆 @ 80mA,4V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 7 pF @ 10 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 1.58 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- 3-SSFP
- 功率耗散(最大值) :
- 150mW(Ta)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SC-81
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 30 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 1.5V,4V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
M55342E11B90A9RBS
M55342E11B84E5RTS
M55342H11B4E70RTS
M55342E11B11B0RWS
M55342E11B50B0MTS
M55342E11B33B6RWS
M55342H11B51D1MWS
M55342H11B4E99RTS
M55342H11B4E99MWS
M55342E11B90A9RWS
M55342E11B51D0RTS
M55342E11B2E74RWS
M55342E11B11E0CTS
M55342E11B100MMTS
M55342K11B3B01RWS
M55342E11B316ARWS
M55342H11B56D0RTS
M55342E11B10B2RTS
M55342K11B3B30RTS
M55342H11B5E00MWS
