数据列表

HTNFET-DC

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

-

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 通道

Vgs（最大值） :

10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

2.4V @ 100µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

400 毫欧 @ 100mA，5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

290 pF @ 28 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

4.3 nC @ 5 V

供应商器件封装 :

-

功率耗散（最大值） :

50W（Tj）

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

8-CDIP 裸露焊盘

工作温度 :

-

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

55 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

5V