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- 数据列表
- SI5855CDC-T1-E3
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 3.7A(Tc)
- FET 功能 :
- 肖特基二极管(隔离式)
- FET 类型 :
- P 通道
- Vgs(最大值) :
- ±8V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 1V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 144 毫欧 @ 2.5A,4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 276 pF @ 10 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 6.8 nC @ 5 V
- 供应商器件封装 :
- 1206-8 ChipFET™
- 功率耗散(最大值) :
- 1.3W(Ta),2.8W(Tc)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 8-SMD,扁平引线
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 20 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 1.8V,4.5V
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