数据列表

IPI023NE7N3 G

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

120A（Tc）

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 通道

Vgs（最大值） :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

3.8V @ 273µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

2.3 毫欧 @ 100A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

14400 pF @ 37.5 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

206 nC @ 10 V

供应商器件封装 :

PG-TO262-3

功率耗散（最大值） :

300W（Tc）

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

工作温度 :

-55°C ~ 175°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

75 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

-