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- 数据列表
- SI6463BDQ-T1-E3
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 6.2A（Ta）
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- P 通道
- Vgs（最大值） :
- -
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :
- 800mV @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :
- 15 毫欧 @ 7.4A，4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :
- -
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :
- 60 nC @ 5 V
- 供应商器件封装 :
- 8-TSSOP
- 功率耗散（最大值） :
- -
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 工作温度 :
- -
- 技术 :
- MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss） :
- 20 V
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :
- -
