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STB25NM60N-1

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

21A（Tc）

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 通道

Vgs（最大值） :

±25V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

4V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

160 毫欧 @ 10.5A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

2400 pF @ 50 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

84 nC @ 10 V

供应商器件封装 :

I2PAK

功率耗散（最大值） :

160W（Tc）

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

工作温度 :

150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

600 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

10V