产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- FDMJ1027P
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 3.2A(Ta)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- P 通道
- Vgs(最大值) :
- -
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- -
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- -
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- -
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- -
- 供应商器件封装 :
- 6-MicroFET(2x2)
- 功率耗散(最大值) :
- -
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 6-VDFN 裸露焊盘
- 工作温度 :
- -
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 20 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
SG73S2BRTTD6982F
SG73S2BRTTD69R8F
SG73S2BRTTD4703F
SG73S2BRTTD364G
SG73S2BRTTD6810F
SG73S2BRTTD1621F
SG73S2BRTTD3653F
SG73S2BRTTD301G
SG73S2BRTTD5602F
SG73S2BRTTD63R4F
SG73S2BRTTD4123F
SG73S2BRTTD30R9F
SG73S2BRTTD2000F
SG73S2BRTTD152G
SG73S2BRTTD34R0F
SG73S2BRTTD40R2F
SG73S2BRTTD1212F
SG73S2BRTTD165G
SG73S2BRTTD3403F
SG73S2BRTTD95R3F
