产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- BSC032N03SG
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 23A(Ta),100A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 2V @ 70µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 3.2 毫欧 @ 50A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 5080 pF @ 15 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 39 nC @ 5 V
- 供应商器件封装 :
- PG-TDSON-8-1
- 功率耗散(最大值) :
- 2.8W(Ta),78W(Tc)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 8-PowerTDFN
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 30 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 4.5V,10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RN73H1JTTD3521F25
RN73H1JTTD33R6F100
RN73H1JTTD57R6D50
RN73H1JTTD4640D100
RN73H1JTTD56R0F50
RN73H1JTTD3742F50
RN73H1JTTD48R7F25
RN73H1JTTD4223D50
RN73H1JTTD4272D25
RN73H1JTTD4370D50
RN73H1JTTD4021F50
RN73H1JTTD3653D100
RN73H1JTTD50R5D25
RN73H1JTTD56R0D100
RN73H1JTTD5301F25
RN73H1JTTD6121D50
RN73H1JTTD3652F50
RN73H1JTTD4173D25
RN73H1JTTD5622F25
RN73H1JTTD3400D100