产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- SPP73N03S2L08XK
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 73A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 2V @ 55µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 8.4 毫欧 @ 36A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 1710 pF @ 25 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 46.2 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- PG-TO220-3-1
- 功率耗散(最大值) :
- 107W(Tc)
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-220-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 175°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 30 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 4.5V,10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
GQM1885C1H270GB01J
GQM1885C1H270JB01J
GQM1885C1H300JB01D
GQM1885C1H330FB01D
GQM1885C1H330FB01J
GQM1885C1H330GB01J
GQM1885C1H330JB01J
GQM1885C1H360GB01D
GQM1885C1H360JB01D
GQM1885C1H390FB01D
GQM1885C1H390FB01J
GQM1885C1H390GB01J
GQM1885C1H390JB01J
GQM1885C1H430GB01D
GQM1885C1H430JB01D
GQM1885C1H470FB01D
GQM1885C1H470FB01J
GQM1885C1H470GB01J
GQM1885C1H470JB01J
GQM1885C1H510GB01D
