数据列表

XN0NE9200L

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

1.2A（Ta）

FET 功能 :

肖特基二极管（隔离式）

FET 类型 :

P 通道

Vgs（最大值） :

±15V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

1.3V @ 1mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

450 毫欧 @ 800mA，4V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

-

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

-

供应商器件封装 :

迷你型5-G1

功率耗散（最大值） :

600mW（Ta）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

SC-74A，SOT-753

工作温度 :

125°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

12 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

4V