产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- NDP7050
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 75A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 4V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 13 毫欧 @ 40A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 3600 pF @ 25 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 115 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- TO-220-3
- 功率耗散(最大值) :
- 150W(Tc)
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-220-3
- 工作温度 :
- -65°C ~ 175°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 50 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RG3216P-2101-P-T1
RG3216P-2151-P-T1
RG3216P-2211-P-T1
RG3216P-2261-P-T1
RG3216P-2321-P-T1
RG3216P-2371-P-T1
RG3216P-2431-P-T1
RG3216P-2491-P-T1
RG3216P-2551-P-T1
RG3216P-2611-P-T1
RG3216P-2671-P-T1
RG3216P-2741-P-T1
RG3216P-2801-P-T1
RG3216P-2871-P-T1
RG3216P-2941-P-T1
RG3216P-3011-P-T1
RG3216P-3091-P-T1
RG3216P-3161-P-T1
RG3216P-3241-P-T1
RG3216P-3321-P-T1