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TPS1100DR

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

1.6A（Ta）

FET 功能 :

-

FET 类型 :

P 通道

Vgs（最大值） :

+2V，-15V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

1.5V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

180 毫欧 @ 1.5A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

-

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

5.45 nC @ 10 V

供应商器件封装 :

8-SOIC

功率耗散（最大值） :

791mW（Ta）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

工作温度 :

-40°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

15 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

2.7V，10V