数据列表

GA10SICP12-263

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

25A（Tc）

FET 功能 :

-

FET 类型 :

-

Vgs（最大值） :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

-

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

100 毫欧 @ 10A

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

1403 pF @ 800 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

-

供应商器件封装 :

TO-263-7

功率耗散（最大值） :

170W（Tc）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA

工作温度 :

175°C（TJ）

技术 :

SiC（碳化硅结晶体管）

漏源电压（Vdss） :

1200 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

-