产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- IMT65R072M1HXUMA1
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- -
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- -
- Vgs（最大值） :
- -
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :
- -
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :
- -
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :
- -
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :
- -
- 供应商器件封装 :
- PG-HSOF-8-1
- 功率耗散（最大值） :
- -
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 8-PowerSFN
- 工作温度 :
- -
- 技术 :
- SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss） :
- 650 V
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :
- 18V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
MAX6761TAZAD0+T
MAX6760TATZD0+T
MAX6743XKZWD3+T
MAX6760TAZWD3+T
MAX6760TAZWD0+T
MAX6761TALTD3+T
MAX6754UKTD0+T
MAX6743XKSDD3+T
MAX6760TAWAD3+T
MAX6760TAZAD0+T
MAX6760TAWED0+T
MAX6760TATZD3+T
MAX6760TAWAD0+T
MAX6760TATAD0+T
MAX6761TATZD3+T
MAX6761TATAD0+T
MAX6761TAWAD0+T
MAX6761TATWD3+T
MAX6761TATZD0+T
MAX6760TAWED3+T
