产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- IXTQ86N25T
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 86A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±30V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 5V @ 1mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 37 毫欧 @ 43A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 5330 pF @ 25 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 105 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- TO-3P
- 功率耗散(最大值) :
- 540W(Ta)
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-3P-3,SC-65-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 250 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
CKC33C752FEGACAUTO
CKC33C562FJGACAUTO
CKC33C562FEGACAUTO
CKC33C912FJGACAUTO
CKC33C512FJGACAUTO
CKC33C622FJGACAUTO
CKC33C912FEGACAUTO
CKC33C472FEGACAUTO
CKC33C682FJGACAUTO
CKC33C472FJGACAUTO
CKC33C682FEGACAUTO
1812J0250124FCT
2225Y4K00330FCT
2225Y4K00390FCT
CKC33C393FEGAC7800
CKC33C333FEGAC7800
CKC33C103FJGAC7800
CKC33C183FEGAC7800
CKC33C183FJGAC7800
CKC33C273FEGAC7800