产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- IXTA220N04T2-7
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 220A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 4V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 3.5 毫欧 @ 50A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 6820 pF @ 25 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 112 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- TO-263-7(IXTA)
- 功率耗散(最大值) :
- 360W(Tc)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片)
- 工作温度 :
- -55°C ~ 175°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 40 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
VJ0805D1R8BXBAR
VJ0805D1R8BXBAT
VJ0805D1R8CEAAR
VJ0805D1R8CEAAT
VJ0805D1R8CEBAR
VJ0805D1R8CEBAT
VJ0805D1R8CXAAR
VJ0805D1R8CXAAT
VJ0805D1R8CXBAR
VJ0805D1R8CXBAT
VJ0805D1R8CXCAT
VJ0805D1R8DEAAR
VJ0805D1R8DEAAT
VJ0805D1R8DEBAR
VJ0805D1R8DEBAT
VJ0805D1R8DXAAR
VJ0805D1R8DXAAT
VJ0805D1R8DXBAR
VJ0805D1R8DXBAT
VJ0805D200JXAAT
