产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SK2225-E
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 2A(Ta)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- -
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 12 欧姆 @ 1A,15V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 984.7 pF @ 30 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- -
- 供应商器件封装 :
- TO-3PFM
- 功率耗散(最大值) :
- 50W(Tc)
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-3PFM,SC-93-3
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 1500 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 15V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RG2012N-1691-P-T1
RG2012N-1741-P-T1
RG2012N-1781-P-T1
RG2012N-1821-P-T1
RG2012N-1871-P-T1
RG2012N-1911-P-T1
RG2012N-1961-P-T1
RG2012N-2051-P-T1
RG2012N-2101-P-T1
RG2012N-2151-P-T1
RG2012N-2211-P-T1
RG2012N-2261-P-T1
RG2012N-2321-P-T1
RG2012N-2371-P-T1
RG2012N-2431-P-T1
RG2012N-2491-P-T1
RG2012N-2551-P-T1
RG2012N-2611-P-T1
RG2012N-2671-P-T1
RG2012N-2741-P-T1
