数据列表

SISH112DN-T1-GE3

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

11.3A（Tc）

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 通道

Vgs（最大值） :

±12V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

1.5V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

7.5 毫欧 @ 17.8A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

2610 pF @ 15 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

27 nC @ 4.5 V

供应商器件封装 :

PowerPAK® 1212-8SH

功率耗散（最大值） :

1.5W（Tc）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

PowerPAK® 1212-8SH

工作温度 :

-50°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

30 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

4.5V，10V